Como testar um transistor IGBT com um multímetro?

  • Dec 14, 2020
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Em dispositivos elétricos modernos para vários fins, os transistores IGBT são amplamente usados ​​como um elemento-chave. No processo de restauração da funcionalidade de uma técnica com falha, surge a tarefa de verificar a integridade desse componente. Este procedimento pode ser realizado diretamente em casa usando um multímetro convencional. Presume-se que o transistor testado foi removido da placa antes.

Imagem 1. Circuito equivalente de transistores IGBT (esquerda) e bipolar (direita)
Imagem 1. Circuito equivalente de transistores IGBT (esquerda) e bipolar (direita)

Os procedimentos para determinar a saúde dos transistores bipolares e IGBT são baseados na similaridade dos circuitos equivalentes desses elementos, Figura 1. Para implementá-los, o valor da resistência entre os eletrodos é controlado. Ao trabalhar com um elemento IGBT, algumas características são levadas em consideração, as quais estão associadas à estrutura de seu cristal.

Operações preparatórias e verificação da operacionalidade dos circuitos do portão

A seguir, é considerado o caso mais difícil, mostrado na Figura 2, - a presença de um diodo shunt adicional no transistor. A necessidade de sua introdução é determinada por considerações de aumento da resistência da estrutura do semicondutor a picos de tensão de polaridade reversa.

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O início da verificação da integridade do transistor começa com a determinação de sua pinagem e estrutura interna. Para isso, consulte os dados técnicos que podem ser encontrados nos sites dos fabricantes e fornecedores da base do elemento.

O primeiro grupo de medições visa verificar a integridade das transições porta-emissor e porta-coletor. Para isso, o multímetro é alternado para o modo de medição de resistência. Independentemente da polaridade da tensão de teste aplicada, o dispositivo deve indicar um circuito aberto (uma consequência direta do projeto da porta isolada).

Figura 2. Os valores da resistência intereletrodo do IGBT

Verificar a capacidade de manutenção do canal coletor-emissor

Antes de verificar o canal principal da corrente de trabalho, é necessário fechar completamente o transistor. Para isso, basta curto-circuitar a porta com o emissor por um curto período (1 s), conforme mostra o diagrama da Figura 3. Este procedimento é realizado tanto com um jumper quanto com uma pinça comum.

Figura 3. Transferência forçada do transistor IGBT para o estado fechado fechando a porta e o emissor

Em seguida, um multímetro mede a resistência entre o emissor e o coletor. Levando em consideração a presença de um diodo shunt interno, para uma das opções de conexão da sonda, o dispositivo deve mostrar o valor final, enquanto quando a polaridade muda para o oposto, as leituras do multímetro devem indicar um caminho de corrente aberto.

Checagem final

Recomenda-se complementar a discagem com multímetro com a montagem do circuito monofásico mais simples, mostrado na Figura 4. É um interruptor de transistor alimentado por qualquer fonte adequada para isso. Quando a chave está aberta, a porta é ligada ao negativo da fonte por meio de um resistor com resistência de 1 a 10 kOhm e o transistor é totalmente fechado. Depois que a chave CL é fechada, o gate recebe um potencial da fonte de +12 V, que transforma o transistor no estado aberto e a lâmpada L acende.

As funções principais podem ser executadas por um switch e um jumper convencional.

Figura 4. Esquema para uma verificação abrangente da integridade de um transistor IGBT