O termo técnico "memristor" é composto de duas palavras em inglês: a primeira é "memória" ou memória, e a segunda é resistor (isto é, resistência). A essência da célula é que sua condutividade muda dependendo da carga que passa por ela (ou seja, depende da história dos processos). Além disso, essa dependência é diretamente proporcional ao valor da corrente passada, integrada ao longo do tempo.
De acordo com a classificação dos dispositivos com memória interna, o memristor pode ser classificado como um dispositivo eletrônico não linear com propriedades de histerese. Ou seja, em termos de finalidade funcional, este elemento pertence à categoria dos componentes microeletrônicos, que possuem a capacidade de memorizar estados anteriores (foto abaixo).
Uma nova era da computação
Nos anos 70 do século passado, os cientistas desenvolveram um modelo teórico que descreve a relação entre a voltagem aplicada ao objeto e a integral de tempo do componente atual. E somente em 2008, foi criada a primeira amostra de um elemento resistor, correspondendo parcialmente às propriedades declaradas.
Sua resposta às influências da corrente não foi semelhante ao comportamento de uma indutância com seu fluxo magnético, nem de um capacitor que acumula carga. E, ao mesmo tempo, ele reagiu ao movimento das cargas, não como um resistor comum. Descobriu-se que os cientistas conseguiram obter um quarto elemento elétrico, diferente dos três primeiros!
As propriedades condutoras do novo componente mudaram devido às reações químicas que ocorrem em um filme de 2 camadas com apenas 5 nm de espessura. A primeira dessas camadas foi especialmente esgotada devido ao fluxo de saída de moléculas de oxigênio. Quando a tensão foi aplicada, as células de oxigênio liberadas com carga começaram a "vagar" entre as camadas, o que levou a uma mudança na resistência do elemento.
Ele não podia mais retornar ao valor anterior de condutividade, o que significava uma transição condicional instantânea de um elemento de "zero" para "um". O fenômeno da histerese no memristor tornou possível, em um estágio inicial do estudo, ver nele uma célula de memória capaz de substituir com sucesso elementos semicondutores.
Candidatos em potencial
As características consideradas dos memristores, teoricamente, abrem as seguintes possibilidades:
- Fabricação de elementos de memória com características melhores que os modernos pen drives.
- Atualização completa do banco de dados eletrônico de dispositivos onde são utilizadas células de memória.
- Um aumento significativo em sua funcionalidade.
Importante!Como o memristor na verdade corrige a carga que passou por ele - ao usar essas células em um PC, por exemplo, você pode fazer isso sem carregar o sistema.
Ao ligar o computador, ele começará a funcionar do estado em que estava desligado no dia anterior. Claro, todos esses são apenas pressupostos teóricos que requerem confirmação prática em um futuro próximo.